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2019年度Lam Research-西安交通大学微电子论文奖项目总结

来源: 发布时间:2020-03-06

一、项目名称

Lam Research-西安交通大学微电子论文奖

二、项目背景

Lam Research公司创立于1980年,总部位于美国硅谷,在全球16个国家设有分支机构,员工总数超过7500人,是世界排名前三位的半导体设备供应商。Lam研发的设备运用原子技术(atom),专注于晶圆制造机台,包括蚀刻、清洗和薄膜沉积等技术,广泛应用于电视、手机、电脑、汽车、医学发展等各个领域。Lam长期以来注重研究开发,仅过去三年在研发方面的投资已累积19亿美金。同时,Lam一直致力于资助全世界知名大学的微电子研发项目,除清华大学、复旦大学外,西安交大是第三所获得Lam奖学金的中国高校。 Lam Research--西安交大微电子论文奖设立于2015年,每年评选一次,旨在奖励微电子学院研究生优秀论文,鼓励西安交通大学的学生从事微电子创新性研究工作,提升我国在此领域的科研水平和人才培养质量。

三、开展时间及流程

Lam论文奖一般每年12月评选一次,12月举办颁奖仪式。一般在12月微电子学院发布Lam论文奖评选通知,让研究生奖本年度内发表的高水平论文及在知名国际会议上发表的论文尽快上报,然后微电子学院院务委员会开会讨论评选规则,并最终确定获得该奖项的论文数目。

Lam Research--西安交大微电子论文奖设立于2015年,每年评选一次,旨在奖励微电子学院研究生优秀论文,鼓励西安交通大学的学生从事微电子创新性研究工作,提升我国在此领域的科研水平和人才培养质量。

4月19日下午,2019年度Lam Research—西安交大微电子论文奖颁奖仪式在教学主楼举行。Lam Research公司亚太地区董事长廖振隆先生,中国区总经理、西安交大半导体专业80级校友刘二壮博士,西安交大党委副书记赵军武,中国科学院院士、电信学部主任管晓宏教授,电信学部梁莉书记,微电子学院领导、教师和学生代表出席活动。颁奖仪式前,赵军武副书记与廖振隆董事长一行座谈。赵军武副书记结合西迁精神向Lam Research公司一行介绍了学校近期的发展和西部创新港建设情况,肯定了微电子学院近年来的发展成绩。他指出,我国集成电路产业正处在前所未有的高速发展期,鼓励微电子学院抓住机遇,壮大力量,勇立时代潮头。廖振隆董事长介绍了Lam Research公司的发展以及国内、外集成电路产业发展新趋势。

2019年度“Lam Research--西安交大微电子论文奖”评奖论文在数量和质量上均有大幅提升,参评的论文发表在Advanced Materials、IEEE TCAS-I、IEEE TPE、IEEE TBCAS、IEEE TEDs、ACS Nano、J. Mater. Chem. A等国际顶级期刊上。经过学生申报、导师确认以及学院院务委员会评审,最终有12篇论文获奖。

四、项目成果

2019年度“Lam Research--西安交大微电子论文奖”共评选出12篇优秀论文,其中一等奖6名,二等奖6名,学生研究方向主要是集成电路设计、器件以及材料等。文章发表在Advanced Materials、IEEE TCAS-I、IEEE TPE、IEEE TBCAS、IEEE TEDs、ACS Nano、J. Mater. Chem. A等国际顶级期刊上,论文清单如下:

序号

姓名

奖项

导师姓名

研究方向

论文题目

1

郭卓奇

一等奖

耿莉

IC设计

Topological Classification Based Splitting-Combining Methodology for Analysis of Complex Multi-loop Systems and Its Application in LDOs

2

潘子健

一等奖

彭文博,贺永宁

器件材料

Piezo‐Phototronic Effect on Performance Enhancement of Anisotype and Isotype Heterojunction Photodiodes

3

张杰

一等奖

张鸿

IC设计

A Low-Noise, Low-Power Amplifier with Current-Reused OTA for ECG Recordings (popular article)

4

刘文龙

一等奖

汪宏,刘明

器件材料

Mechanical Strain-Tunable Microwave Magnetism in Flexible CuFe2O4 Epitaxial Thin Film for Wearable Sensors

5

张红帅

一等奖

张鸿

IC设计

A 0.6-V 10-bit 200-kS/s SAR ADC With Higher Side-Reset-and-Set Switching Scheme and Hybrid CAP-MOSDAC

6

祁金伟

一等奖

李昕

器件

Temperature Dependence of Dynamic Performance Characterization of 1.2 kV SiC Power MOSFETs compared with Si IGBTs for Wide Temperature Applications

7

吴海洋

二等奖

刘卫华

器件

Gas sensing performance of graphene-metal contact after thermal annealing

8

关云鹤

二等奖

李尊朝

器件

An Analytical Model of Gate-All-Around Heterojunction Tunneling FET

9

马珅慧

二等奖

李昕

器件

Direct Label-free Protein Detection in High Ionic Strength Solution and Human Plasma Using Dual-Gate Nanoribbonbased Ion-Sensitive Field-Effect Transistor Biosensor

10

梁仲帅

二等奖

刘明

器件材料

Flexible Lead-Free Oxide Film Capacitors with Ultrahigh Energy Storage Performances in Extremely Wide Operating Temperature

11

李芳沛

二等奖

彭文博,贺永宁

器件材料

Optimization of Si/ZnO/PEDOT:PSS tri-layer heterojunction photodetector by piezo-phototronic effect using both positive and negative piezoelectric charges

12

陈杰

二等奖

汪宏

器件

Multilayered ferroelectric polymer films incorporating lowdielectric-constant components for concurrent enhancement of energy density and charge-discharge efficiency

五、财务报告

收入金额(元)

支出时间

支出金额(元)

奖励人数

72000

2019-06-01

72000

20

 

 

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